RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3672
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link