RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2483
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link