RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2358
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link