RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link