RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2907
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link