RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2670
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link