RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link