RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link