RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link