RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 62
    Около -82% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.4 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.4 left arrow 14.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 10.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1612 left arrow 2616

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
модули RAM