RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
62
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
19
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
20.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link