RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
62
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
46
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
11.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2481
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link