RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link