RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
62
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
43
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2058
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link