RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
62
Около -226% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
19
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
25.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
21.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
4612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link