RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3619
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link