Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 42
    Около 29% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.9 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    12.1 left arrow 11.4
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 42
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.4 left arrow 12.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.9 left arrow 7.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1762 left arrow 1892
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения