RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Средняя оценка
star star star star star
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Сообщить об ошибке
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 30
    Около -30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.4 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.7 left arrow 5.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.6 left arrow 16.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.4 left arrow 11.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1344 left arrow 2575

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Сравнения RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
модули RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
модули RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
модули RAM