RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3652
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link