RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3259
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link