RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3990
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link