RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2554
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link