RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link