RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3559
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link