RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3589
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link