RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3317
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link