RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2333
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link