RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 48
    Около 50% меньшая задержка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.8 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.4 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2852

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
модули RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
модули RAM