RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link