RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3082
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link