RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4064
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link