RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3672
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link