RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link