RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 31
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 18.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 15.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3545

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
модули RAM
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
модули RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
модули RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
модули RAM