RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link