RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link