RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link