RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link