RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965662-013.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2125
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link