RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link