RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3050
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link