RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2201
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link