RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link