RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
76
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
76
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link