RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link