RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2140
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link