RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3961
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link