RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link