RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link