RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
57
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.7
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
5.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2339
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link