RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
73
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2201
1843
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link